Pagina afdrukken
GANB8R0-040CBAZ
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 14 A, 10.1 nC, WLCSP, Surface Mount
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
2.000 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 1,580 |
| 10+ | € 1,420 |
| 100+ | € 1,240 |
| 500+ | € 1,090 |
| 1000+ | € 0,997 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 1,58 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantNEXPERIA
Artikelnr. fabrikantGANB8R0-040CBAZ
Ordercode4697762
Technische datasheet
Drain Source Voltage Vds-
Continuous Drain Current Id14A
Drain Source On State Resistance-
Typical Gate Charge10.1nC
Transistor Case StyleWLCSP
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins16Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische specificaties
Drain Source Voltage Vds
-
Drain Source On State Resistance
-
Transistor Case Style
WLCSP
No. of Pins
16Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
14A
Typical Gate Charge
10.1nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:N.n.b.
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000001
Producttraceerbaarheid