Pagina afdrukken
PMGD290UCEAX
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 725 mA, 725 mA, 0.29 ohm
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
27.114 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 5+ | € 0,447 |
| 10+ | € 0,281 |
| 100+ | € 0,179 |
| 500+ | € 0,134 |
| 1000+ | € 0,110 |
| 5000+ | € 0,0904 |
Prijs voor:Each
Minimum: 5
Meerdere: 5
€ 2,24 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantNEXPERIA
Artikelnr. fabrikantPMGD290UCEAX
Ordercode2357127
Technische datasheet
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel725mA
Continuous Drain Current Id P Channel725mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.29ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.29ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel445mW
Power Dissipation P Channel445mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The PMGD290UCEA is a complementary N/P-channel enhancement-mode FET in a very small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Very fast switching characteristics
Toepassingen
Industrial, Automotive, Power Management
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
725mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.29ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
445mW
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
725mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.29ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
445mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.00001