Pagina afdrukken
PSMN1R4-40YLDX
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 0.00112 ohm, SOT-669, Surface Mount
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
8.155 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 1,970 |
| 10+ | € 1,440 |
| 100+ | € 1,130 |
| 500+ | € 0,897 |
| 1000+ | € 0,824 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 1,97 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantNEXPERIA
Artikelnr. fabrikantPSMN1R4-40YLDX
Ordercode2449091
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.00112ohm
Transistor Case StyleSOT-669
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation238W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The PSMN1R4-40YLD is a N-channel enhancement-mode logic level gate drive MOSFET using advanced TrenchMOS® Superjunction technology. It is designed and qualified for high performance power switching applications.
- NextPower-S3 technology delivers superfast switching with soft recovery
- Low QRR, QG and QGD for high system efficiency and low EMI designs
- Schottky-plus body-diode, gives soft switching without the associated high IDSS leakage
- Optimised for 4.5V gate drive utilising NextPower-S3 Superjunction technology
- High reliability LFPAK package, copper-clip, solder die attach and qualified to 175°C
- Exposed leads can be wave soldered, visual solder joint inspection and high quality solder joints
- Low parasitic inductance and resistance
- -55 to 175°C Junction temperature range
Toepassingen
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial, Medical
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
SOT-669
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
238W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.00112ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (2)
Alternatieven voor PSMN1R4-40YLDX
8 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Thailand
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Thailand
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.00001
Producttraceerbaarheid