Pagina afdrukken
AFT09MS007NT1
RF FET Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
261 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 4,100 |
| 10+ | € 3,110 |
| 100+ | € 2,600 |
| 500+ | € 2,390 |
| 1000+ | € 2,170 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 4,10 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantNXP
Artikelnr. fabrikantAFT09MS007NT1
Ordercode2776255
Technische datasheet
Drain Source Voltage Vds30VDC
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation114W
Operating Frequency Min136MHz
Operating Frequency Max941MHz
Transistor Case StylePLD-1.5W
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
AFT09MS007NT1 is a RF power LDMOS transistor designed for handheld two way radio applications with frequencies from 136 to 941MHz. The high gain, ruggedness and wideband performance of this device makes it ideal for large signal, common source amplifier applications in handheld radio equipment. Typical applications output stage VHF band handheld radio, output stage UHF band handheld radio, output stage for 700–800MHz handheld radio.
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Integrated ESD protection
- Integrated stability enhancements
- Wideband full power across the band
- Exceptional thermal performance
- Extreme ruggedness
- High linearity for: TETRA, SSB
Technische specificaties
Drain Source Voltage Vds
30VDC
Power Dissipation
114W
Operating Frequency Max
941MHz
No. of Pins
2Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
136MHz
Transistor Case Style
PLD-1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 3 - 168 hours
Technische documenten (3)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000858
Producttraceerbaarheid