Pagina afdrukken
AFT20S015GNR1
RF FET Transistor, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantNXP
Artikelnr. fabrikantAFT20S015GNR1
Ordercode2890592
ProductreeksAFT20S015GN
Technische datasheet
201 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 24,800 |
| 5+ | € 24,350 |
| 10+ | € 23,890 |
| 50+ | € 21,970 |
| 100+ | € 21,530 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 24,80 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantNXP
Artikelnr. fabrikantAFT20S015GNR1
Ordercode2890592
ProductreeksAFT20S015GN
Technische datasheet
Drain Source Voltage Vds65V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation11W
Operating Frequency Min1.805GHz
Operating Frequency Max2.7GHz
Transistor Case StyleTO-270G
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product RangeAFT20S015GN
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
- N channel enhancement mode Lateral MOSFET, RF power LDMOS transistor
- Greater negative gate--source voltage range for improved Class C operation
- Designed for digital predistortion error correction systems
- Optimized for doherty applications
- 17.6dB typical power gain (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Drain efficiency is 22.0% typical (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Adjacent channel power ratio is -44.0dBc typical (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Typical input return loss is -14dB (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- 0.05dB typical gain flatness in 60MHz bandwidth (at Pout = 1.5W Avg.)
- 2 bit TO--270G package, operating junction temperature range from -40°C to +225°C
Technische specificaties
Drain Source Voltage Vds
65V
Power Dissipation
11W
Operating Frequency Max
2.7GHz
No. of Pins
2Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
AFT20S015GN
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.805GHz
Transistor Case Style
TO-270G
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 3 - 168 hours
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:United States
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:United States
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.0003
Producttraceerbaarheid