Pagina afdrukken
BFU590GX
Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-223
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
1.455 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
Beschikbaar tot einde voorraad
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 0,931 |
| 10+ | € 0,699 |
| 100+ | € 0,567 |
| 500+ | € 0,519 |
| 1000+ | € 0,496 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 0,93 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantNXP
Artikelnr. fabrikantBFU590GX
Ordercode2776268
Technische datasheet
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max12V
Transition Frequency8.5GHz
Power Dissipation2W
Continuous Collector Current200mA
Transistor Case StyleSOT-223
No. of Pins4Pins
DC Current Gain hFE Min60hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
BFU590GX is a NPN wideband silicon RF transistor for high speed, medium power applications in a plastic, 4-pin SOT223 package. The BFU590G is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2GHz. Typical applications include automotive applications, broadband amplifiers, medium power amplifiers (500mW at a frequency of 433MHz or 866MHz) and large signal amplifiers for ISM applications.
- 24V collector-base voltage, 12V collector-emitter voltage, 2V emitter-base voltage
- Medium power, high linearity, high breakdown voltage RF transistor
- 95 typical DC gain
- Maximum stable gain is 13dB at 900MHz
- AEC-Q101 qualified
- Output power at 1dB gain compression PL(1dB) is 21.5dBm at 900MHz
- 8.5GHz transition frequency
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
8.5GHz
Continuous Collector Current
200mA
No. of Pins
4Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
12V
Power Dissipation
2W
Transistor Case Style
SOT-223
DC Current Gain hFE Min
60hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000148