Pagina afdrukken
MRF101BN
RF FET Transistor, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantNXP
Artikelnr. fabrikantMRF101BN
Ordercode2985309
ProductreeksMRF101AN; MRF101BN
Technische datasheet
381 Op Voorraad
250 U kunt nu voorraad reserveren
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 23,590 |
| 5+ | € 21,260 |
| 10+ | € 18,920 |
| 50+ | € 17,090 |
| 100+ | € 16,410 |
| 250+ | € 15,740 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 23,59 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantNXP
Artikelnr. fabrikantMRF101BN
Ordercode2985309
ProductreeksMRF101AN; MRF101BN
Technische datasheet
Drain Source Voltage Vds133V
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation182W
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max250MHz
Transistor Case StyleTO-220
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingThrough Hole
Product RangeMRF101AN; MRF101BN
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
These devices are designed for use in VHF/UHF communications, VHF TV broadcast and aerospace applications as well as industrial, scientific and medical applications. The devices are exceptionally rugged and exhibit high performance up to 250 MHz.
- Mirror pinout versions (A and B) to simplify use in a push-pull, two-up configuration
- Characterized from 30 to 50 V
- Suitable for linear application
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
- Included in NXP product longevity program with assured supply for a minimum of 15 years after launch
Toepassingen
Industrial, Communications & Networking
Technische specificaties
Drain Source Voltage Vds
133V
Power Dissipation
182W
Operating Frequency Max
250MHz
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
MRF101AN; MRF101BN
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
Transistor Case Style
TO-220
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.0004
Producttraceerbaarheid