Pagina afdrukken
BUB323ZT4G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 350 V, 150 W, 10 A, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
1.274 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | € 1,610 |
| 500+ | € 1,500 |
| 1000+ | € 1,190 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 5
€ 166,00 (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van € 5,00
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantBUB323ZT4G
Ordercode1653614RL
Technische datasheet
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo350V
Collector Emitter Voltage Max350V
Continuous Collector Current10A
Power Dissipation Pd150W
DC Collector Current10A
Power Dissipation150W
RF Transistor CaseTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE500hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max175°C
DC Current Gain hFE Min500hFE
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Productoverzicht
The BUB323ZT4G is a NPN bipolar silicon power Darlington Transistor with a built-in active Zener clamping circuit. This device is specifically designed for unclamped, inductive applications such as electronic ignition, switching regulators and motor control.
- Planar, monolithic
- Autoprotected
- Integrated high-voltage active clamp
- Tight clamping voltage window
- Clamping energy capability 100% tested in a live ignition circuit
- High DC current gain/low saturation voltages specified over full temperature range
- Design guarantees operation in SOA at all times
Toepassingen
Industrial, Power Management, Motor Drive & Control
Technische specificaties
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
350V
Power Dissipation Pd
150W
Power Dissipation
150W
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min
500hFE
Qualification
AEC-Q101
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
350V
Continuous Collector Current
10A
DC Collector Current
10A
RF Transistor Case
TO-263 (D2PAK)
DC Current Gain hFE
500hFE
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische documenten (3)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.001911
Producttraceerbaarheid