Pagina afdrukken

FCB20N60

Name: ONSEMI FCB20N60
Brand: ONSEMI
SKU: 1095000
Availability: InStock

Power MOSFET, N Channel, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Date/Lot Code

De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.

FabrikantONSEMI

Artikelnr. fabrikantFCB20N60

Ordercode1095000

Technische datasheet

Data Sheet

Bekijk alle technische documenten

Verpakkingsopties

Afgesneden tape

Volle reel

1.392 Op Voorraad

Heeft u meer nodig?

EXPRESLEVERING volgende werkdag

Bestel vóór 17:00

GRATIS standaardlevering

voor bestellingen van € 0,00 en hoger

Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen

Hoeveelheid
1+	€ 5,430
10+	€ 4,050
50+	€ 3,510
100+	€ 2,960
250+	€ 2,900

Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)

Minimum: 1

Meerdere: 1

€ 5,43 (excl. BTW)

Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking

Artikelopmerking

Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.

Uw art.nr.

Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.

Productgegevens

FabrikantONSEMI

Artikelnr. fabrikantFCB20N60

Ordercode1095000

Technische datasheet

Data Sheet

Channel TypeN Channel

Drain Source Voltage Vds600V

Continuous Drain Current Id20A

Drain Source On State Resistance0.19ohm

Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)

Transistor MountingSurface Mount

Rds(on) Test Voltage10V

Gate Source Threshold Voltage Max5V

Power Dissipation208W

No. of Pins3Pins

Operating Temperature Max150°C

Product Range-

Qualification-

MSLMSL 1 - Unlimited

SVHCLead (27-Jun-2024)

Productoverzicht

The FCB20N60 is a N-channel SuperFET® high voltage super-junction MOSFET utilizes charge balance technology for outstanding low ON-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dV/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.

Ultra low gate charge (Qg = 75nC)
Low effective output capacitance (Coss.eff = 165pF)
100% avalanche tested

Toepassingen

Industrial, Power Management, Communications & Networking, Lighting, Alternative Energy

Waarschuwingen

Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Technische specificaties

Channel Type

N Channel

Continuous Drain Current Id

20A

Transistor Case Style

TO-263 (D2PAK)

Rds(on) Test Voltage

10V

Power Dissipation

208W

Operating Temperature Max

150°C

Qualification

SVHC

Lead (27-Jun-2024)

Drain Source Voltage Vds

600V

Drain Source On State Resistance

0.19ohm

Transistor Mounting

Surface Mount

Gate Source Threshold Voltage Max

No. of Pins

3Pins

Product Range

MSL

MSL 1 - Unlimited

Technische documenten (1)

Technical Data Sheet EN

Alternatieven voor FCB20N60

3 gevonden producten

Wetgeving en milieu

Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:United States
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd

Tariefnummer:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

RoHS-compliantie:Y-Ex

RoHS

Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja

RoHS

SVHC:Lead (27-Jun-2024)

Download conformiteitsverklaring

Conformiteitsverklaring

Gewicht (kg):.001458

Producttraceerbaarheid