Pagina afdrukken
FDC6561AN
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
104.315 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | € 0,361 |
| 500+ | € 0,261 |
| 1000+ | € 0,236 |
| 5000+ | € 0,187 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 1
€ 41,10 (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van € 5,00
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantFDC6561AN
Ordercode9844813RL
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel2.5A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.082ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel960mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Productoverzicht
The FDC6561AN is a dual N-channel logic level MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for all applications where small size is desirable but especially DC-to-DC conversion in battery powered systems.
- Low gate charge
- Very fast switching
- Small footprint
- Low profile
Toepassingen
Industrial, Power Management
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.082ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
960mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische documenten (2)
Aanverwante producten
2 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000043
Producttraceerbaarheid