Pagina afdrukken
FDH055N15A
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 156 A, 0.0048 ohm, TO-247, Through Hole
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantFDH055N15A
Ordercode2825158
ProductreeksPowerTrench
Technische datasheet
4.203 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 6,740 |
| 5+ | € 6,710 |
| 10+ | € 6,680 |
| 50+ | € 3,910 |
| 100+ | € 3,780 |
| 250+ | € 3,650 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 6,74 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantFDH055N15A
Ordercode2825158
ProductreeksPowerTrench
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id156A
Drain Source On State Resistance0.0048ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation429W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangePowerTrench
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Productoverzicht
FDH055N15A is a N-channel, POWERTRENCH® MOSFET. This N-channel MOSFET is produced using Onsemi’s advanced POWERTRENCH process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance. The application includes synchronous rectification for ATX / sever / telecom PSU, battery protection circuit, motor drives and uninterruptible power supplies, micro solar inverter.
- Fast switching speed, low gate charge, high power and current handling capability
- High performance trench technology for extremely low RDS(on)
- Static drain to source on resistance is 4.8mohm typ (VGS = 10V, ID = 120A, TC = 25°C)
- Drain to source breakdown voltage is 150V min (ID = 250µA, VGS = 0V, TC = 25°C)
- Breakdown voltage temperature coefficient is 0.1V/°C typ (ID = 250µA, Referenced to 25°C)
- Gate threshold voltage range from 2.0 to 4.0V (VGS = VDS, ID = 250µA, 25°C)
- Input capacitance is 7100pF typ (VDS = 75V, VGS = 0V, f = 1MHz, 25°C)
- Output capacitance is 664pF typ (VDS = 75V, VGS = 0V, f = 1MHz, 25°C)
- Power dissipation is 429W (25°C)
- TO−247−3LD package, operating temperature range from -55 to + 175°C
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
156A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
429W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0048ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
PowerTrench
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.006867
Producttraceerbaarheid