Pagina afdrukken
FDPF44N25T
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 44 A, 0.058 ohm, TO-220F, Through Hole
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
202 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 2,210 |
| 10+ | € 1,370 |
| 100+ | € 1,280 |
| 500+ | € 1,180 |
| 1000+ | € 1,160 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 2,21 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantFDPF44N25T
Ordercode2322606
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source On State Resistance0.058ohm
Transistor Case StyleTO-220F
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation38W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Productoverzicht
The FDPF44N25T is an UniFET™ high voltage MOSFET produced based on planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
- 47nC Typical low gate charge
- 60pF Typical low Crss
Toepassingen
Power Management, Consumer Electronics, Lighting
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
44A
Transistor Case Style
TO-220F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
38W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.058ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.00293
Producttraceerbaarheid