Pagina afdrukken
FDV304P
Power MOSFET, P Channel, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Surface Mount
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
9.000 Op Voorraad
15.000 U kunt nu voorraad reserveren
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 3000+ | € 0,0715 |
| 9000+ | € 0,0686 |
Prijs voor:Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Meerdere: 3000
€ 214,50 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantFDV304P
Ordercode2438464
Technische datasheet
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id460mA
Drain Source On State Resistance1.1ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max860mV
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
The FDV304P is a P-channel enhancement-mode FET produced using high cell density DMOS technology. This very high density process is tailored to minimize ON-state resistance at low gate drive conditions. It is designed especially for application in battery power applications. It has excellent ON-state resistance even at gate drive voltages as low as 2.5V.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation
- Gate-source zener for ESD ruggedness, <gt/>6kV human body mode
- Compact industry standard surface-mount package
Technische specificaties
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
460mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
1.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
860mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.001
Producttraceerbaarheid