Pagina afdrukken
FFSH40120ADN-F085
Silicon Carbide Schottky Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Dual Common Cathode, 1.2 kV, 40 A
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantFFSH40120ADN-F085
Ordercode2895626
ProductreeksEliteSiC Series
Technische datasheet
Beschikbaar om te bestellen
Standaard levertijd fabrikant: 12 week(en)
Neem contact met mij op wanneer het product weer op voorraad is
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 13,090 |
| 5+ | € 12,510 |
| 10+ | € 11,930 |
| 50+ | € 11,920 |
| 100+ | € 11,680 |
| 250+ | € 11,440 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 13,09 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantFFSH40120ADN-F085
Ordercode2895626
ProductreeksEliteSiC Series
Technische datasheet
Product RangeEliteSiC Series
Diode ConfigurationDual Common Cathode
Repetitive Peak Reverse Voltage1.2kV
Average Forward Current40A
Total Capacitive Charge120nC
Diode Case StyleTO-247
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingThrough Hole
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Productoverzicht
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
- Max Junction Temperature 175°C
- AEC−Q101 qualified
- Avalanche Rated 200 mJ
- No Reverse Recovery/No Forward Recovery
- Ease of Paralleling
- High Surge Current Capacity
- Positive Temperature Coefficient
Technische specificaties
Product Range
EliteSiC Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
1.2kV
Total Capacitive Charge
120nC
No. of Pins
3 Pin
Diode Mounting
Through Hole
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Diode Configuration
Dual Common Cathode
Average Forward Current
40A
Diode Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.0001
Producttraceerbaarheid