Pagina afdrukken
MMBFJ309LT1G
JFET Transistor, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 Pin, 150 °C
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
34.126 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel vóór 17:00
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van € 0,00 en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 5+ | € 0,196 |
| 50+ | € 0,129 |
| 100+ | € 0,107 |
| 500+ | € 0,095 |
| 1500+ | € 0,092 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Meerdere: 5
€ 0,98 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantMMBFJ309LT1G
Ordercode1431339
Technische datasheet
Gate Source Breakdown Voltage Max-25V
Zero Gate Voltage Drain Current Max30mA
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min12mA
Gate Source Cutoff Voltage Max-4V
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max150°C
Transistor TypeJFET
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
The MMBFJ309LT1G is a N-channel JFET designed for high frequency amplifiers and oscillators. The device offers interchangeable drain and source, space saving surface-mount package. The Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life.
- 25VDC Drain-source voltage
- 25VDC Gate-source voltage
- 10mA Gate current
Toepassingen
Industrial, Power Management
Technische specificaties
Gate Source Breakdown Voltage Max
-25V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
12mA
Transistor Case Style
SOT-23
Operating Temperature Max
150°C
Channel Type
N Channel
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Zero Gate Voltage Drain Current Max
30mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
-4V
No. of Pins
3 Pin
Transistor Type
JFET
Transistor Mounting
Surface Mount
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische documenten (2)
Alternatieven voor MMBFJ309LT1G
1 product gevonden
Aanverwante producten
2 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.001058
Producttraceerbaarheid