Pagina afdrukken
NDC7002N
Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 510 mA, 2 ohm
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
Beschikbaar om te bestellen
Standaard levertijd fabrikant: 13 week(en)
Neem contact met mij op wanneer het product weer op voorraad is
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 3000+ | € 0,141 |
| 9000+ | € 0,123 |
Prijs voor:Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Meerdere: 3000
€ 423,00 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantNDC7002N
Ordercode2438359
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel50V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel510mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel2ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel700mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Productoverzicht
The NDC7002N is a dual N-channel enhancement-mode FET produced using high cell density and DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize ON-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. This device is particularly suited for low voltage applications requiring a low current high side switch.
- High saturation current
- High density cell design for low RDS (ON)
- Design using copper lead-frame for superior thermal and electrical capabilities
Toepassingen
Industrial, Power Management
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
50V
Continuous Drain Current Id N Channel
510mA
Drain Source On State Resistance N Channel
2ohm
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.001
Producttraceerbaarheid