Pagina afdrukken
NDT3055
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Surface Mount
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
4.742 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 50+ | € 0,747 |
| 250+ | € 0,532 |
| 1000+ | € 0,385 |
| 2000+ | € 0,368 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 5
€ 79,70 (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van € 5,00
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantNDT3055
Ordercode1471071RL
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation3W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Productoverzicht
The NDT3055 is a 60V N-channel enhancement mode Field Effect Transistor produced using high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed. This product is general usage and suitable for many different applications.
- High power and current handling capability
Toepassingen
Power Management, Consumer Electronics
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische documenten (2)
Alternatieven voor NDT3055
5 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Philippines
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000272
Producttraceerbaarheid