Pagina afdrukken
NTBG160N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantNTBG160N120SC1
Ordercode3528497RL
ProductreeksEliteSiC Series
Technische datasheet
487 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 10+ | € 4,920 |
| 50+ | € 4,640 |
| 100+ | € 4,360 |
| 250+ | € 4,270 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 10
Meerdere: 1
€ 54,20 (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van € 5,00
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantNTBG160N120SC1
Ordercode3528497RL
ProductreeksEliteSiC Series
Technische datasheet
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id19.5A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.16ohm
On Resistance Rds(on)0.16ohm
Transistor Case StyleTO-263HV (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation136W
Power Dissipation Pd136W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Productoverzicht
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.16ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
136W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
19.5A
Drain Source On State Resistance
0.16ohm
Transistor Case Style
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
136W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (2)
Aanverwante producten
2 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.001776
Producttraceerbaarheid