Pagina afdrukken
NTTFS4H07NTAG
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 66 A, 4800 µohm, WDFN, Surface Mount
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
Niet langer geproduceerd
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantNTTFS4H07NTAG
Ordercode3616569
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id66A
Drain Source On State Resistance4800µohm
Transistor Case StyleWDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation33.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
66A
Transistor Case Style
WDFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
33.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
4800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.1
Producttraceerbaarheid