Pagina afdrukken
NVBG080N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantNVBG080N120SC1
Ordercode3528514RL
ProductreeksEliteSiC Series
Technische datasheet
1.320 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel vóór 17:00
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van € 0,00 en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 10+ | € 7,180 |
| 50+ | € 6,960 |
| 100+ | € 6,820 |
| 250+ | € 6,680 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 10
Meerdere: 1
€ 76,80 (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van € 5,00
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantNVBG080N120SC1
Ordercode3528514RL
ProductreeksEliteSiC Series
Technische datasheet
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
On Resistance Rds(on)0.08ohm
Transistor Case StyleTO-263HV (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation179W
Power Dissipation Pd179W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
Productoverzicht
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
On Resistance Rds(on)
0.08ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
179W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Case Style
TO-263HV (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
179W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.001845
Producttraceerbaarheid