Pagina afdrukken
NVHL080N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 44 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantNVHL080N120SC1
Ordercode3018978
ProductreeksEliteSiC Series
Technische datasheet
2.066 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 12,240 |
| 5+ | € 10,610 |
| 10+ | € 8,980 |
| 50+ | € 8,030 |
| 100+ | € 8,020 |
| 250+ | € 8,000 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 12,24 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantNVHL080N120SC1
Ordercode3018978
ProductreeksEliteSiC Series
Technische datasheet
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation348W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Productoverzicht
NVHL080N120SC1 is a silicon carbide (SiC) MOSFET. Typical applications are automotive on board charger, automotive DC-DC converter for EV/HEV.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- 100% UIL tested
- Low effective output capacitance (typ. Coss= 80pF)
- Drain-to-source voltage is 1200V at TJ = 25°C
- Continuous drain current RJC is 31A at TC = 25°C
- Power dissipation RJC is 89W at TC = 100°C
- Single pulse surge drain current capability is 132A at TA = 25°C, tp = 10µs, RG = 4.7ohm
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
- TO247-3L package
Technische specificaties
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
44A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
348W
Product Range
EliteSiC Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische documenten (2)
Aanverwante producten
2 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.0007
Producttraceerbaarheid