Pagina afdrukken
NVMFD5C446NLT1G
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 145 A, 145 A, 0.0022 ohm
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
3.722 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | € 2,310 |
| 500+ | € 2,190 |
| 1000+ | € 2,150 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 1
€ 236,00 (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van € 5,00
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantNVMFD5C446NLT1G
Ordercode2835598RL
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel145A
Continuous Drain Current Id P Channel145A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0022ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0022ohm
Transistor Case StyleDFN
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel125W
Power Dissipation P Channel125W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (27-Jun-2024)
Productoverzicht
NVMFD5C446NLT1G is a dual N-channel power MOSFET. It has low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG and capacitance to minimize driver losses.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source breakdown voltage is 40V minimum at (VGS = 0V, ID = 250µA)
- Gate-to-source leakage current is 100nA maximum at (VDS = 0V, VGS = 20V)
- Negative threshold temperature coefficient is -5.2mV/°C typical at (TJ = 25°C)
- Drain-to-source on resistance is 2.2mohm typical at (VGS = 10V, ID = 20A)
- Input capacitance is 3170pF typical at (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 25V)
- Gate-to-drain charge is 7nC typical at (VGS = 4.5V, VDS = 32V; ID = 50A)
- Turn-on delay time is 14.8ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 32V, ID = 5A, RG = 1 ohm)
- Rise time is 16.8ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 32V, ID = 5A, RG = 1 ohm)
- Junction temperature range from -55°C to +175°C, DFN8 package
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
145A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0022ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
125W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
145A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0022ohm
Transistor Case Style
DFN
Power Dissipation N Channel
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000012