Pagina afdrukken
NVTFS5116PLTAG
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 6 A, 0.052 ohm, WDFN, Surface Mount
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
4.091 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel vóór 17:00
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van € 0,00 en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 50+ | € 0,602 |
| 200+ | € 0,519 |
| 500+ | € 0,425 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 5
€ 65,20 (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van € 5,00
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantNVTFS5116PLTAG
Ordercode2533214RL
Technische datasheet
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.052ohm
Transistor Case StyleWDFN
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation3.2W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Productoverzicht
NVTFS5116PLTAG is a single P-channel, power MOSFET. It has low RDS(on) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source breakdown voltage is -60V minimum at (VGS = 0 V, ID = 250µA)
- Gate-to- source leakage current is ±100nA maximum at (VDS = 0V, VGS = 20V)
- Drain-to-source on resistance is 37mohm typical at (VGS = -10V, ID = -7A)
- Input capacitance is 1258pF typical at (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = -25V)
- Total gate charge is 25nC typical at (VGS = -10V, VDS = -48V, ID = -7A)
- Turn-on delay time is 14ns typical at (VGS = -4.5V, VDS = -48V, ID = -7A)
- Rise time is 68ns typical at (VGS = -4.5V, VDS = -48V, ID = -7A)
- Operating junction temperature range from -55°C to +175°C
- WDFN8 package
Technische specificaties
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
WDFN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.2W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (2)
Alternatieven voor NVTFS5116PLTAG
1 product gevonden
Aanverwante producten
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000072
Producttraceerbaarheid