Pagina afdrukken
NXH100B120H3Q0STG
IGBT Module, Dual, 50 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, PIM
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantNXH100B120H3Q0STG
Ordercode3265490
ProductreeksNXH100B120H3Q0
Technische datasheet
Beschikbaar om te bestellen
Standaard levertijd fabrikant: 14 week(en)
Neem contact met mij op wanneer het product weer op voorraad is
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 79,430 |
| 5+ | € 69,500 |
| 10+ | € 57,590 |
| 50+ | € 51,630 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 79,43 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantNXH100B120H3Q0STG
Ordercode3265490
ProductreeksNXH100B120H3Q0
Technische datasheet
IGBT ConfigurationDual
DC Collector Current50A
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage1.77V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.77V
Power Dissipation186W
Power Dissipation Pd186W
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StylePIM
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product RangeNXH100B120H3Q0
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
IGBT Configuration
Dual
Continuous Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.77V
Power Dissipation Pd
186W
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Solder
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
DC Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.77V
Power Dissipation
186W
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
PIM
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
NXH100B120H3Q0
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85415000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.0001
Producttraceerbaarheid