Pagina afdrukken
PZT651T1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Surface Mount
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
991 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel vóór 17:00
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van € 0,00 en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 0,608 |
| 10+ | € 0,428 |
| 50+ | € 0,366 |
| 200+ | € 0,303 |
| 500+ | € 0,240 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 0,61 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantPZT651T1G
Ordercode2464102
Technische datasheet
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max60V
Continuous Collector Current2A
Power Dissipation800mW
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins4Pins
Transition Frequency75MHz
DC Current Gain hFE Min75hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Productoverzicht
The PZT651T1G is a NPN Bipolar Transistor designed for use in industrial and consumer applications. The device is housed in the package which is designed for medium power surface-mount applications. The package ensures level mounting, resulting in improved thermal conduction and allows visual inspection of soldered joints. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die.
- Can be soldered using wave or reflow
- Halogen-free
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Toepassingen
Industrial, Power Management, Automotive
Technische specificaties
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
2A
Transistor Case Style
SOT-223
No. of Pins
4Pins
DC Current Gain hFE Min
75hFE
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Collector Emitter Voltage Max
60V
Power Dissipation
800mW
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency
75MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000211
Producttraceerbaarheid