Pagina afdrukken
RFP12N10L
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 12 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Through Hole
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
1.003 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel vóór 17:00
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van € 0,00 en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 1,100 |
| 10+ | € 0,609 |
| 100+ | € 0,587 |
| 500+ | € 0,570 |
| 1000+ | € 0,504 |
| 5000+ | € 0,494 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 1,10 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantRFP12N10L
Ordercode1017795
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id12A
Drain Source On State Resistance0.2ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Productoverzicht
The RFP12N10L is a 100V N-channel logic level enhancement mode power MOSFET designed for logic level 5V driving sources in applications such as programmable controllers, automotive switching and solenoid drivers. This performance is accomplished through a special gate oxide design which provides full rated conduction at gate biases in the 3 to 5V range, thereby facilitating true on-off power control directly from logic circuit supply voltages. This product is general usage and suitable for many different applications.
- Compatible with automotive drive requirements
- Can be driven directly from QMOS, NMOS and TTL circuits
- High input impedance
- Nanosecond switching speed
- Linear transfer characteristics
Toepassingen
Power Management, Automotive
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
60W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000454
Producttraceerbaarheid