Pagina afdrukken
FDV303N
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Surface Mount
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
80.253 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
.
.
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van € 0,00 en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 5+ | € 0,336 |
| 50+ | € 0,208 |
| 100+ | € 0,0988 |
| 500+ | € 0,0968 |
| 1500+ | € 0,0859 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Meerdere: 5
€ 1,68 (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantFDV303N
Ordercode9845020
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id680mA
Drain Source On State Resistance0.45ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
The FDV303N is a surface mount, N channel logic level enhancement mode digital FET in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate drive conditions. It has excellent on state resistance even at gate drive voltages as low as 2.5V and designed for application in battery circuits using either one lithium or three cadmium or NHM cells, inverters, high efficiency miniature discrete DC/DC conversion in electronic devices like cellular phones and pagers.
- Drain to source voltage (Vds) of 25V
- Gate to source voltage of 8V
- Continuous drain current (Id) of 680mA
- Power dissipation (Pd) of 350mW
- Low on state resistance of 330mohm at Vgs 4.5V
- Operating temperature range -55°C to 150°C
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
680mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
0.45ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technische documenten (2)
Aanverwante producten
3 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000035
Producttraceerbaarheid