Pagina afdrukken
QRD1114
Reflective Photo Interrupter, Phototransistor, Through Hole, 1.27 mm, 50 mA, 5 Vr, 1.7 Vf
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
1.163 Op Voorraad
5.300 U kunt nu voorraad reserveren
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 1,290 |
| 10+ | € 1,010 |
| 25+ | € 0,958 |
| 50+ | € 0,906 |
| 100+ | € 0,854 |
| 500+ | € 0,796 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 1,29 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantONSEMI
Artikelnr. fabrikantQRD1114
Ordercode1467858
Technische datasheet
Sensing MethodReflective
Sensing Distance / Slot Width-
Sensing Distance1.27mm
Supply Voltage Min-
Supply Voltage Max-
Forward Current If50mA
Reverse Voltage Vr5V
Sensor Case / PackageModule
Collector Emitter Voltage Max30V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Forward Voltage1.7V
Collector Current IC Max1mA
Sensor Output TypePhototransistor
IP Rating-
Sensor MountingThrough Hole
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
The QRD1114 is a Reflective Object Sensor consists of an infrared emitting diode and an NPN silicon photodarlington mounted side by side in a black plastic housing. The on-axis radiation of the emitter and the on-axis response of the detector are both perpendicular to the face of the QRD1114. The photodarlington responds to radiation emitted from the diode only when a reflective object or surface is in the field of view of the detector.
- Phototransistor Output
- No Contact Surface Sensing
- Unfocused for Sensing Diffused Surfaces
- Daylight Filter on Sensor
Toepassingen
Automation & Process Control, Building Automation, Medical, Test & Measurement
Technische specificaties
Sensing Method
Reflective
Sensing Distance
1.27mm
Supply Voltage Max
-
Reverse Voltage Vr
5V
Collector Emitter Voltage Max
30V
Forward Voltage
1.7V
Sensor Output Type
Phototransistor
Sensor Mounting
Through Hole
Operating Temperature Max
85°C
Qualification
-
Sensing Distance / Slot Width
-
Supply Voltage Min
-
Forward Current If
50mA
Sensor Case / Package
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
Collector Current IC Max
1mA
IP Rating
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000318
Producttraceerbaarheid