Pagina afdrukken
BM3G007MUV-EVK-002
Evaluation Board, BM3G007MUV-LBE2, GaN HEMT Power Stage, Power Management
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
2 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 365,940 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 365,94 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantROHM
Artikelnr. fabrikantBM3G007MUV-EVK-002
Ordercode4240699
Technische datasheet
Silicon ManufacturerRohm Semiconductor
Silicon Core NumberBM3G007MUV-LBE2
Kit Application TypePower Management
Application Sub TypeGaN HEMT Power Stage
Kit ContentsEvaluation Board BM3G007MUV-LBE2
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Productoverzicht
BM3G007MUV-EVK-002 is a power factor correction 240W 400V BM3G007MUV reference board. BM3G007MUV has a built-in GaN HEMT (650V 70mohm), driver and protection circuit. By using this GaN power stage, achieved a maximum efficiency of 97.8%. The BD7695FJ which is BCM method PFC controller IC is used. The BD7695FJ supplies the system which is suitable for all of products that requires PFC.
- Reference board outputs 400V voltage from the input of 90VAC to 264VAC
- Output current supplies up to 0.6A
- Output voltage range from 376 to 415V
- Input frequency range from 47Hz to 63Hz
- THD is 8.4% typical
- Max output ripple voltage is 20Vpp
- BCM is used for PFC part and Zero current detection reduces both switching loss and noise
- Hold time is 20ms (min) at VOUT min 280V
- 0.97 power factor (PF) at AC230V, IOUT = 0.6A
- Operating temperature range from -10 to +55°C
Technische specificaties
Silicon Manufacturer
Rohm Semiconductor
Kit Application Type
Power Management
Kit Contents
Evaluation Board BM3G007MUV-LBE2
SVHC
To Be Advised
Silicon Core Number
BM3G007MUV-LBE2
Application Sub Type
GaN HEMT Power Stage
Product Range
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Japan
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Japan
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000001