Pagina afdrukken
BSM180C12P3C202
Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Channel, 180 A, 1.2 kV, Module
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
12 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 434,100 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 434,10 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantROHM
Artikelnr. fabrikantBSM180C12P3C202
Ordercode3573219
Technische datasheet
MOSFET Module ConfigurationChopper
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation880W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCLead (23-Jan-2024)
Productoverzicht
BSM180C12P3C202 is a SiC power module. This product is a chopper module consisting of SiC-UMOSFET and SiC-SBD from ROHM. Application includes motor drive, converter, photovoltaics, wind power generation.
- Low surge, low switching loss, high-speed switching possible
- Reduced temperature dependence
- 1.8V typical static drain-source on-state voltage (Tj=25°C, IC=180A, VGS=18V)
- 10µA maximum drain cut-off current (VDS=1200V, VGS=0V, Tj=25°C)
- Gate-source threshold voltage range from 2.7V to 5.6V (VDS=10V, ID=50mA, Tj=25°C)
- 9nF typical input capacitance (VDS=10V, VGS=0V, 100KHz, Tj=25°C)
- 30ns typ switching characteristics (VGS(on)=18V, VGS(off)=0V, VDS=600V, RG=3.9ohm inductive load)
- 2500Vrms isolation voltage (terminals to baseplate, f=60Hz AC 1min)
- 1.4ohm typical gate resistance (Tj=25°C)
- Junction temperature range from -40°C to150°C
Technische specificaties
MOSFET Module Configuration
Chopper
Continuous Drain Current Id
180A
Drain Source On State Resistance
-
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
Lead (23-Jan-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
880W
Product Range
-
Technische documenten (1)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Japan
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Japan
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (23-Jan-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.28