Pagina afdrukken
SKHI 22A H4 R
IGBT Driver, Half Bridge, 8 A, 14.4 V to 15.6 V, Module
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantSEMIKRON
Artikelnr. fabrikantSKHI 22A H4 R
Ordercode2423646
ProductreeksSEMIDRIVER Series
Technische datasheet
53 Op Voorraad
12 U kunt nu voorraad reserveren
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel vóór 17:00
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van € 0,00 en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 221,450 |
| 5+ | € 217,020 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 221,45 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantSEMIKRON
Artikelnr. fabrikantSKHI 22A H4 R
Ordercode2423646
ProductreeksSEMIDRIVER Series
Technische datasheet
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Continuous Collector Current-
Collector Emitter Saturation Voltage-
Driver ConfigurationHalf Bridge
Power Switch TypeIGBT
Power Dissipation-
Operating Temperature Max85°C
IC Case / PackageModule
Transistor Case StyleSMD
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT Technology-
Transistor MountingSurface Mount
Supply Voltage Min14.4V
Product RangeSEMIDRIVER Series
Supply Voltage Max15.6V
Operating Temperature Min-40°C
Input Delay1µs
Output Delay1µs
SVHCNo SVHC (15-Jun-2015)
Productoverzicht
SKHI 22A H4 R is a SEMIDRIVER™ hybrid dual IGBT driver. It is used for IGBT modules in bridge circuits in industrial applications.
- Compatible to old SKHI 22, turn on gate voltage output is 15V typical
- CMOS compatible inputs, turn off gate voltage output is -7V typical
- Short protection by VCE monitoring and switch off
- Drive interlock top/bottom, internal gate emitter resistance is 22Kohm typical
- Isolation by transformers, input to output turn on propagation time is 1µs typical
- Supply undervoltage protection (13V)
- Error latch/output, error reset time is 9µs typical
- Supply voltage primary side is 15V typical
- Supply current primary side (no load) is 80mA typical
- Operating temperature range from -40°C to 85°C
Technische specificaties
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
Collector Emitter Saturation Voltage
-
Power Switch Type
IGBT
Operating Temperature Max
85°C
Transistor Case Style
SMD
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
SEMIDRIVER Series
Operating Temperature Min
-40°C
Output Delay
1µs
Continuous Collector Current
-
Driver Configuration
Half Bridge
Power Dissipation
-
IC Case / Package
Module
IGBT Termination
Solder
IGBT Technology
-
Supply Voltage Min
14.4V
Supply Voltage Max
15.6V
Input Delay
1µs
SVHC
No SVHC (15-Jun-2015)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Germany
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Germany
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.061991