Pagina afdrukken
SKM100GAL12T4
IGBT Module, Single, 160 A, 1.8 V, 175 °C, Module
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
Beschikbaar om te bestellen
Standaard levertijd fabrikant: 26 week(en)
Neem contact met mij op wanneer het product weer op voorraad is
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 83,500 |
| 5+ | € 77,470 |
| 10+ | € 70,400 |
| 50+ | € 67,840 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 83,50 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantSEMIKRON
Artikelnr. fabrikantSKM100GAL12T4
Ordercode2423679
Technische datasheet
IGBT ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current160A
Continuous Collector Current160A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Productoverzicht
The SKM100GAL12T4 is a SEMITRANS® 2 IGBT Module for use with electronic welders at fsw up to 20kHz and brake chopper. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Single switch
- IGBT4 = 4th generation fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- UL recognized, file number E63532
Toepassingen
Maintenance & Repair, Power Management, Motor Drive & Control
Technische specificaties
IGBT Configuration
Single
DC Collector Current
160A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature Tj Max
175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
160A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
IGBT 4 Fast [Trench]
Product Range
-
Technische documenten (2)
Aanverwante producten
4 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Slovak Republic
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Slovak Republic
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.18
Producttraceerbaarheid