Pagina afdrukken
GD100HHU120C6S
IGBT Module, H Bridge, 160 A, 3.1 V, 638 W, 125 °C, Module
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
1 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel vóór 17:00
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van € 0,00 en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 93,840 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 93,84 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantSTARPOWER
Artikelnr. fabrikantGD100HHU120C6S
Ordercode3549221
Technische datasheet
IGBT ConfigurationH Bridge
Continuous Collector Current160A
DC Collector Current160A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.1V
Collector Emitter Saturation Voltage3.1V
Power Dissipation638W
Power Dissipation Pd638W
Junction Temperature Tj Max125°C
Operating Temperature Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT Ultra Fast IGBT
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Productoverzicht
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
IGBT Configuration
H Bridge
DC Collector Current
160A
Collector Emitter Saturation Voltage
3.1V
Power Dissipation Pd
638W
Operating Temperature Max
125°C
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
Continuous Collector Current
160A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
3.1V
Power Dissipation
638W
Junction Temperature Tj Max
125°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Technology
NPT Ultra Fast IGBT
Product Range
-
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):1.21