Pagina afdrukken
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
Niet langer geproduceerd
Productgegevens
FabrikantSTMICROELECTRONICS
Artikelnr. fabrikantTIP127
Ordercode9804056
Technische datasheet
Transistor PolarityPNP
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd65W
DC Collector Current5A
RF Transistor CaseTO-220
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The TIP127 is a NPN-PNP complementary power Darlington Transistor manufactured in Planar technology with "Base Island" layout and monolithic Darlington configuration. The resulting transistors show exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
- Low collector-emitter saturation voltage
Toepassingen
Industrial, Power Management
Technische specificaties
Transistor Polarity
PNP
Power Dissipation Pd
65W
RF Transistor Case
TO-220
DC Current Gain hFE
1000hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
DC Collector Current
5A
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.002
Producttraceerbaarheid