Pagina afdrukken
IRFPG30PBF
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-247AC, Through Hole
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
312 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel vóór 17:00
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van € 0,00 en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 2,080 |
| 10+ | € 1,770 |
| 100+ | € 1,720 |
| 500+ | € 1,620 |
| 1000+ | € 1,590 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 2,08 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantIRFPG30PBF
Ordercode2646358
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id3.1A
Drain Source On State Resistance5ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Productoverzicht
Third generation Power MOSFET provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
- Dynamic dV/dot rating
- Repetitive avalanche rated
- Isolated central mounting hole
- Fast switching
- Ease of Paralleling
- Simple drive requirements
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.1A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Mexico
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Mexico
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.00567