Pagina afdrukken
SI1032R-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-89, Surface Mount
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
2.590 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 5+ | € 0,408 |
| 10+ | € 0,304 |
| 100+ | € 0,247 |
| 500+ | € 0,192 |
| 1000+ | € 0,158 |
| 5000+ | € 0,123 |
Prijs voor:Each
Minimum: 5
Meerdere: 5
€ 2,04 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSI1032R-T1-GE3
Ordercode1794805
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id140mA
Drain Source On State Resistance5ohm
Transistor Case StyleSC-89
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max900mV
Power Dissipation250mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The SI1032R-T1-GE3 is a 1.5VGS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.
- 2000V Gate-source ESD protected
- Low-side switching
- Low ON-resistance
- Low threshold
- 35ns Fast switching speed
- 1.5V Rated voltage
- Halogen-free
- Ease in driving switches
- Low offset voltage
- Low-voltage operation
- High-speed circuits
- Low battery voltage operation
Toepassingen
Industrial, Power Management, Portable Devices
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
140mA
Transistor Case Style
SC-89
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
900mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (3)
Alternatieven voor SI1032R-T1-GE3
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.0005
Producttraceerbaarheid