Pagina afdrukken
SI1553CDL-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 700 mA, 700 mA, 0.325 ohm
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
32.725 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | € 0,231 |
| 500+ | € 0,175 |
| 1500+ | € 0,144 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 5
€ 28,10 (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van € 5,00
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSI1553CDL-T1-GE3
Ordercode2454800RL
Technische datasheet
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id700mA
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel700mA
Continuous Drain Current Id P Channel700mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.325ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.325ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel340mW
Power Dissipation P Channel340mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
700mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.325ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
340mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id
700mA
Continuous Drain Current Id N Channel
700mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.325ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
340mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische documenten (2)
Alternatieven voor SI1553CDL-T1-GE3
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Taiwan
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Taiwan
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000051
Producttraceerbaarheid