Pagina afdrukken
SI4564DY-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 40 V, 40 V, 10 A, 10 A, 0.0145 ohm
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
15.719 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 1,680 |
| 10+ | € 1,160 |
| 100+ | € 0,790 |
| 500+ | € 0,627 |
| 1000+ | € 0,566 |
| 5000+ | € 0,483 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 1,68 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSI4564DY-T1-GE3
Ordercode2056723
Technische datasheet
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel10A
Continuous Drain Current Id P Channel10A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0145ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0145ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Productoverzicht
The SI4564DY-T1-GE3 is a 40V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
Toepassingen
Power Management
Technische specificaties
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
10A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0145ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
10A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0145ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Technische documenten (3)
Aanverwante producten
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000253
Producttraceerbaarheid