Pagina afdrukken
SI4946BEY-T1-E3
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 6.5 A, 0.033 ohm
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
34.939 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | € 1,030 |
| 500+ | € 0,823 |
| 1000+ | € 0,757 |
| 5000+ | € 0,756 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 1
€ 108,00 (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van € 5,00
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSI4946BEY-T1-E3
Ordercode1497619RL
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel6.5A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.033ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.4W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Productoverzicht
The SI4946BEY-T1-E3 is a 60V Dual N-channel TrenchFET® Power MOSFET. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 175°C Maximum junction temperature
- 100% Rg Tested
Toepassingen
Power Management
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.033ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.4W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische documenten (3)
Alternatieven voor SI4946BEY-T1-E3
2 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000255
Producttraceerbaarheid