Pagina afdrukken
SIJ450DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 45 V, 113 A, 0.0019 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSIJ450DP-T1-GE3
Ordercode3765818RL
ProductreeksTrenchFET Gen IV
Technische datasheet
29.960 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel vóór 17:00
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van € 0,00 en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 100+ | € 0,833 |
| 500+ | € 0,646 |
| 1000+ | € 0,596 |
| 5000+ | € 0,528 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 100
Meerdere: 1
€ 88,30 (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van € 5,00
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSIJ450DP-T1-GE3
Ordercode3765818RL
ProductreeksTrenchFET Gen IV
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds45V
Continuous Drain Current Id113A
Drain Source On State Resistance0.0019ohm
On Resistance Rds(on)0.00155ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation48W
Power Dissipation Pd48W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
Productoverzicht
- N-channel 45V (D-S) MOSFET
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- Very low Qg and Qoss reduce power loss and improve efficiency
- Flexible leads provide resilience to mechanical stress
- 100 % Rg and UIS tested
- Qgd/Qgs ratio <lt/> 1 optimizes switching characteristics
- Used in synchronous rectification, high power density DC/DC and DC/AC inverters
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
45V
Drain Source On State Resistance
0.0019ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
48W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
113A
On Resistance Rds(on)
0.00155ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
Power Dissipation Pd
48W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000001
Producttraceerbaarheid