Pagina afdrukken
SIJH600E-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 373 A, 920 µohm, PowerPAK, Surface Mount
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSIJH600E-T1-GE3
Ordercode3782484RL
ProductreeksTrenchFET Gen IV
Technische datasheet
1.029 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel vóór 17:00
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van € 0,00 en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 10+ | € 4,930 |
| 50+ | € 4,340 |
| 100+ | € 3,740 |
| 250+ | € 3,670 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 10
Meerdere: 1
€ 54,30 (excl. BTW)
Voor dit product wordt een re-reeling kost toegevoegd van € 5,00
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSIJH600E-T1-GE3
Ordercode3782484RL
ProductreeksTrenchFET Gen IV
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id373A
Drain Source On State Resistance920µohm
On Resistance Rds(on)650µohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation333W
Power Dissipation Pd333W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
920µohm
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
333W
No. of Pins
5Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
373A
On Resistance Rds(on)
650µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
333W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000001
Producttraceerbaarheid