Pagina afdrukken
VSMB1940X01
Infrared Emitter, 940 nm, 60 °, 0805, 6 mW/Sr, 15 ns, 15 ns
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantVSMB1940X01
Ordercode1779752
ProductreeksGaAlAs Double Hetero IR Diode
Technische datasheet
2.685 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
EXPRESLEVERING volgende werkdag
Bestel vóór 17:00
GRATIS standaardlevering
voor bestellingen van € 0,00 en hoger
Nauwkeurige levertijden worden berekend bij het afrekenen
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 0,670 |
| 10+ | € 0,490 |
| 25+ | € 0,455 |
| 50+ | € 0,420 |
| 100+ | € 0,385 |
| 500+ | € 0,340 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 0,67 (excl. BTW)
Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantVSMB1940X01
Ordercode1779752
ProductreeksGaAlAs Double Hetero IR Diode
Technische datasheet
Peak Wavelength940nm
Angle of Half Intensity60°
Diode Case Style0805
Radiant Intensity (Ie)6mW/Sr
Rise Time15ns
Fall Time tf15ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.35V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
Product RangeGaAlAs Double Hetero IR Diode
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Productoverzicht
The VSMB1940X01 is an infrared, 940nm emitting diode in GaAlAs Double Hetero technology with high radiant power and high speed, moulded in clear, untinted 0805 plastic package for surface mounting (SMD). It is suitable for use in high speed IR data transmission, high power emitter for low space applications, high performance transmissive or reflective sensors.
- Package form: 0805
- Dimensions (L x W x H in mm): 2 x 1.25 x 0.85
- Peak wavelength: λp = 940nm
- High radiant intensity
- Angle of half sensitivity: ϕ = ±60°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
Technische specificaties
Peak Wavelength
940nm
Diode Case Style
0805
Rise Time
15ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Angle of Half Intensity
60°
Radiant Intensity (Ie)
6mW/Sr
Fall Time tf
15ns
Forward Voltage VF Max
1.35V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
GaAlAs Double Hetero IR Diode
Technische documenten (2)
Alternatieven voor VSMB1940X01
1 product gevonden
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Germany
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Germany
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000191