Pagina afdrukken
ZXMHC3F381N8TC
Dual MOSFET, H-Bridge, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 3.98 A, 3.98 A, 0.033 ohm
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
1.560 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 5+ | € 1,390 |
| 50+ | € 0,952 |
| 100+ | € 0,702 |
| 500+ | € 0,575 |
| 1000+ | € 0,515 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Meerdere: 5
€ 6,95 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantDIODES INC.
Artikelnr. fabrikantZXMHC3F381N8TC
Ordercode2061507
Technische datasheet
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel3.98A
Continuous Drain Current Id P Channel3.98A
Drain Source On State Resistance N Channel0.033ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.033ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel870mW
Power Dissipation P Channel870mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Productoverzicht
The ZXMHC3F381N8TC is a N/P-channel complementary enhancement-mode MOSFET H-Bridge offers low ON-resistance achievable with low gate drive. It is ideal for DC to AC inverter applications.
Toepassingen
Industrial, Power Management, Motor Drive & Control
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.98A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.033ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
870mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.98A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.033ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
870mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:China
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000302
Producttraceerbaarheid