Pagina afdrukken
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
327 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
Hoeveelheid | |
---|---|
1+ | € 3,010 |
10+ | € 1,500 |
100+ | € 1,350 |
500+ | € 1,250 |
1000+ | € 1,150 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 3,01 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantSTMICROELECTRONICS
Artikelnr. fabrikantSTP80NF55-08
Ordercode1291988
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.008ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The STP80NF55-08 from STMicroelectronics is a through hole, 55V N channel STripFET II power MOSFET in TO-220 package. This power MOSFET designed in unique Single Feature Size strip based process, resulting transistor shows extremely high packing density for low onstate resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps. Applicable at switching applications.
- Drain to source voltage (Vds) of 55V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of 80A
- Power dissipation (Pd) of 300W
- Low on state resistance of 6.5mohm at Vgs 10V
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Toepassingen
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.008ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Technische documenten (2)
Alternatieven voor STP80NF55-08
3 gevonden producten
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Morocco
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Morocco
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Y-Ex
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.002685