Pagina afdrukken
PMD3001D,115
Bipolar Transistor Array, NPN, PNP, 40 V, 40 V, 1 A, 1 A, 330 mW
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
8.843 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 5+ | € 0,166 |
| 50+ | € 0,152 |
| 100+ | € 0,138 |
| 500+ | € 0,124 |
| 1500+ | € 0,110 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Meerdere: 5
€ 0,83 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantNEXPERIA
Artikelnr. fabrikantPMD3001D,115
Ordercode1524143
Technische datasheet
Transistor PolarityNPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN40V
Collector Emitter Voltage Max PNP40V
Continuous Collector Current NPN1A
Continuous Collector Current PNP1A
Power Dissipation NPN330mW
Power Dissipation PNP330mW
DC Current Gain hFE Min NPN450hFE
DC Current Gain hFE Min PNP450hFE
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN-
Transition Frequency PNP-
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The PMD3001D is a NPN-PNP Bipolar Transistor Array connected as push-pull driver in a surface-mount plastic package. It is suitable for MOSFET driver, power bipolar transistor driver and output current booster for operational amplifier.
- Low VCEsat breakthrough in small signal (BISS) transistors in push-pull configuration
- Application-optimized pin-out
- Space-saving solution
- Internal connections to minimize layout effort
- Reduces component count
Toepassingen
Power Management, Computers & Computer Peripherals, Automation & Process Control, Industrial
Technische specificaties
Transistor Polarity
NPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
40V
Continuous Collector Current PNP
1A
Power Dissipation PNP
330mW
DC Current Gain hFE Min PNP
450hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
40V
Continuous Collector Current NPN
1A
Power Dissipation NPN
330mW
DC Current Gain hFE Min NPN
450hFE
Transistor Case Style
SuperSOT
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
-
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.000015
Producttraceerbaarheid