Pagina afdrukken
PMD3001D,115
TRANSISTOR, NPN/PNP, 40V, 1A, SSOT-6
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
3.000 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 3000+ | € 0,108 |
| 9000+ | € 0,0948 |
Prijs voor:Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 1
Meerdere: 1
--
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantNEXPERIA
Artikelnr. fabrikantPMD3001D,115
Ordercode2439635
Technische datasheet
Channel Type-
Drain Source Voltage Vds N Channel-
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel-
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel-
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSuperSOT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel330mW
Power Dissipation P Channel330mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Productoverzicht
The PMD3001D is a NPN-PNP Bipolar Transistor Array connected as push-pull driver in a surface-mount plastic package. It is suitable for MOSFET driver, power bipolar transistor driver and output current booster for operational amplifier.
- Low VCEsat breakthrough in small signal (BISS) transistors in push-pull configuration
- Application-optimized pin-out
- Space-saving solution
- Internal connections to minimize layout effort
- Reduces component count
Toepassingen
Power Management, Computers & Computer Peripherals, Automation & Process Control, Industrial
Technische specificaties
Channel Type
-
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
330mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
-
Drain Source On State Resistance N Channel
-
Transistor Case Style
SuperSOT
Power Dissipation N Channel
330mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische documenten (3)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:United States
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:United States
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.001
Producttraceerbaarheid