Pagina afdrukken
MRFE6VS25NR1
RF FET Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, TO-270
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
Productgegevens
FabrikantNXP
Artikelnr. fabrikantMRFE6VS25NR1
Ordercode2776252RL
Technische datasheet
Drain Source Voltage Vds133VDC
Continuous Drain Current Id-
Power Dissipation-
Operating Frequency Min1.8MHz
Operating Frequency Max2000MHz
No. of Pins2Pins
Operating Temperature Max225°C
Product Range-
Productoverzicht
The MRFE6VS25NR1 is a N-channel RF Power LDMOS Transistor designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast and aerospace applications operating at frequencies from 1.8 to 2000MHz. It is fabricated using enhanced ruggedness platform and is suitable for use in applications where high VSWRs are encountered.
- High ruggedness
- Enhancement-mode lateral MOSFET
- Wide operating frequency range
- Extreme ruggedness
- Unmatched, capable of very broadband operation
- Integrated stability enhancements
- Low thermal resistance
- Extended ESD protection circuit
Technische specificaties
Drain Source Voltage Vds
133VDC
Power Dissipation
-
Operating Frequency Max
2000MHz
Operating Temperature Max
225°C
Continuous Drain Current Id
-
Operating Frequency Min
1.8MHz
No. of Pins
2Pins
Product Range
-
Technische documenten (3)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Malaysia
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.0003
Producttraceerbaarheid