Pagina afdrukken
954 Op Voorraad
Heeft u meer nodig?
Levering de volgende werkdag
Bestel vóór 17:00 uur - standaardverzending
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 7,470 |
| 5+ | € 6,630 |
| 10+ | € 5,790 |
| 50+ | € 5,040 |
| 100+ | € 4,280 |
| 250+ | € 4,190 |
Prijs voor:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 7,47 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantVISHAY
Artikelnr. fabrikantSIHH070N60EF-T1GE3
Ordercode3263504
ProductreeksEF
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source On State Resistance0.071ohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation202W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEF
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Productoverzicht
SIHH070N60EF-T1GE3 is an EF series power MOSFET with fast body diode. It features the 4th generation E series technology. Application includes server and telecom power supplies, switch mode power supplies (SMPS), power factor correction power supplies (PFC), high-intensity discharge (HID), fluorescent ballast lighting (lighting), welding, induction heating, motor drives, battery chargers and solar (PV inverters) (industrial).
- Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg, low effective capacitance (Co(er))
- Reduced switching and conduction losses, avalanche energy rated (UIS)
- Maximum power dissipation is 202W (TC = 25°C)
- Gate-source threshold voltage range from 3 to 5V (TJ = 25°C, VDS = VGS, ID = 250μA)
- Drain-source breakdown voltage is 600V (VGS = 0V, ID = 250μA, TJ = 25°C)
- Continuous drain current (TJ = 150 °C) is 36A (TC = 25°C, VGS at 10V)
- Turn-on delay time is 36ns, fall time is 38ns (typ, VDD = 480V, ID = 15A, VGS = 10V, Rg = 9.1ohm)
- Diode forward voltage is 1.2V (TJ = 25 °C, IS = 15A, VGS = 0V)
- PowerPAK 8 x 8 package, operating junction and storage temperature range from -55 to +150°C
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
36A
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
202W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.071ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
EF
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Taiwan
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Taiwan
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.004
Producttraceerbaarheid