Pagina afdrukken
IXFN140N30P
MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 140 A, 300 V, 0.024 ohm, 10 V, 5 V
De afbeeldingen zijn alleen bedoeld ter illustratie. Raadpleeg de productomschrijving.
Beschikbaar om te bestellen
Standaard levertijd fabrikant: 40 week(en)
Neem contact met mij op wanneer het product weer op voorraad is
| Hoeveelheid | |
|---|---|
| 1+ | € 28,700 |
| 5+ | € 27,060 |
| 10+ | € 25,420 |
| 50+ | € 23,780 |
| 100+ | € 22,140 |
Prijs voor:Each
Minimum: 1
Meerdere: 1
€ 28,70 (excl. BTW)
Onderdeelnr. toevoegen / Regelopmerking
Wordt alleen voor deze bestelling toegevoegd aan uw Orderbevestiging, Factuur en Verzendnota.
Dit nummer wordt toegevoegd aan de Bestelbevestiging, Factuur, Verzendnota, E-mail met Webbevestiging en Productetiket.
Productgegevens
FabrikantIXYS SEMICONDUCTOR
Artikelnr. fabrikantIXFN140N30P
Ordercode1427320
Technische datasheet
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id140A
Drain Source Voltage Vds300V
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleISOTOP
Transistor MountingModule
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation700W
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins4Pins
Product Range-
MSL-
Productoverzicht
The IXFN140N30P is a Polar™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, battery chargers, DC choppers and high speed power switching applications.
- Avalanche rating
- Low Qg
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space saving
Toepassingen
Power Management, Motor Drive & Control
Waarschuwingen
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische specificaties
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
300V
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Mounting
Module
Power Dissipation
700W
No. of Pins
4Pins
MSL
-
Continuous Drain Current Id
140A
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Case Style
ISOTOP
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Technische documenten (2)
Wetgeving en milieu
Land van oorsprong:
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Germany
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerdLand van oorsprong:Germany
Land waarin het laatste noemenswaardige fabricageproces is uitgevoerd
Tariefnummer:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-compliantie:Ja
RoHS
Voldoet aan RoHS-richtlijn voor ftalaten:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Download conformiteitsverklaring
Conformiteitsverklaring
Gewicht (kg):.03
Producttraceerbaarheid